Search Site
  • 0
    سلة التسوق

    انقر هنا لمعرفة عدد العناصر التي أضفتها:)

    image loader

    إضافة عنصر (عناصر) إلى سلة التسوق ......

الصفحة الرئيسية >> Signaling Pathways >> Tyrosine Kinase >> Discoidin Domain Receptor

Discoidin Domain Receptor

Discoidin domain receptors (DDRs) are receptor tyrosine kinases with the unique ability among receptor tyrosine kinases to respond to collagen. Several signaling molecules have been implicated in DDR signaling, including Shp-2, Src, and MAPK pathways. DDRs have been reported to induce the expression of various genes including matrix metalloproteinases and bone morphogenetic proteins, but the regulatory mechanisms underlying DDR-induced gene expression remain to be determined. DDRs regulate cell-collagen interactions in normal and pathological conditions and thus are emerging as major sensors of collagen matrices and potential novel therapeutic targets.

أهداف لـ نبسب؛ Discoidin Domain Receptor

منتجات لـ نبسب؛ Discoidin Domain Receptor

  1. القط. رقم اسم المنتج بيانات
  2. GC33361 DDR Inhibitor مثبط DDR هو مثبط قوي لمستقبلات المجال (DDR) ، مع IC50 من 3.3 نانومتر لـ DDR2 ، ويظهر تثبيطًا بنسبة 53 ٪ على DDR1 عند 1.5 نانومتر DDR Inhibitor Chemical Structure
  3. GC17365 DDR1-IN-1 DDR1-IN-1 هو مثبط قوي وانتقائي لمستقبلات التيروزين كيناز DDR1 مع IC50 من 105 نانومتر ؛ 4 أضعاف قوة أقل للذاكرة DDR2 (IC50 = 413 نانومتر) DDR1-IN-1 Chemical Structure
  4. GC35822 DDR1-IN-1 dihydrochloride DDR1-IN-1 ثنائي هيدروكلوريد هو مثبط قوي وانتقائي لمستقبلات التيروزين كيناز DDR1 مع IC50 من 105 نانومتر ؛ 4 أضعاف قوة أقل للذاكرة DDR2 (IC50 = 413 نانومتر). DDR1-IN-1 dihydrochloride Chemical Structure
  5. GC31724 DDR1-IN-2

    7rh

     DDR1-IN-2 (DDR1-IN-2) هو مثبط قوي لمستقبل مجال الديسكويدين 1 (DDR1) ، مع IC50 من 13.1 نانومتر ، وأيضًا يثبط بشكل أقل فعالية DDR2 ، مع IC50 من 203 نانومتر. DDR1-IN-2 Chemical Structure
  6. GC33297 DDR1-IN-3 DDR1-IN-3 هو مثبط انتقائي لمستقبلات مجال الديسكودين 1 (DDR1) ، بقيمة IC50 تبلغ 9.4 نانومتر. DDR1-IN-3 يثبط أيضًا عائلة TRK. DDR1-IN-3 Chemical Structure
  7. GC64268 DDR1-IN-4 DDR1-IN-4 (المركب 2.45) هو مثبط لمستقبلات مجال الديسكودين 1 الانتقائي والفعال (DDR1) ، مع قيم IC50 البالغة 29 نانومتر و 1.9 ميكرومتر لـ DDR1 و DDR2 ، على التوالي DDR1-IN-4 Chemical Structure
  8. GC65378 DDR1-IN-5 DDR1-IN-5 هي عائلة مستقبلات مجال الديسكودين الانتقائية ، مثبط العضو 1 (DDR1) مع IC50 من 7.36 نانومترDDR1-IN-5 يثبط الفسفرة التلقائية DDR1b (Y513) مع IC50 من 4.1 نانومترDDR1-IN-5 له نشاط مضاد للسرطان DDR1-IN-5 Chemical Structure
  9. GC66476 DDR1-IN-6 DDR1-IN-6 هي عائلة مستقبلات مجال ديسكودين انتقائية ، مثبط العضو 1 (DDR1) مع IC50 من 9.72 نانومتر. DDR1-IN-6 يثبط الفسفرة التلقائية DDR1b (Y513) مع IC50 من 9.7 نانومتر. DDR1-IN-6 له نشاط مضاد للسرطان. DDR1-IN-6 Chemical Structure
  10. GC73659 DDR1/2 inhibitor-2 DDR1/2 inhibitor-2 (مثال 31) هو مثبط DDR1/DDR2، مع قيم IC50 أقل من 100 نانومتر. DDR1/2 inhibitor-2 Chemical Structure
  11. GC70345 DDR2-IN-1 DDR2-IN-1 هو مثبط قوي DDR2 مع IC50 من 26 نانومتر. DDR2-IN-1 Chemical Structure
  12. GC65212 FGFR1/DDR2 inhibitor 1 مثبط FGFR1 / DDR2 1 هو مثبط نشط عن طريق الفم لمستقبل عامل نمو الخلايا الليفية 1 (FGFR1) ومستقبل مجال ديسكويندين 2 (DDR2) ، بقيم IC50 تبلغ 31.1 نانومتر و 3.2 نانومتر ، على التوالينشاط انتيتومور FGFR1/DDR2 inhibitor 1 Chemical Structure
  13. GC11057 LY2801653

    Merestinib

     A MET kinase inhibitor LY2801653 Chemical Structure
  14. GC36585 Merestinib dihydrochloride Merestinib dihydrochloride (LY2801653 dihydrochloride) هو مثبط c-Met قوي ومتوفر بيولوجيًا عن طريق الفم (Ki = 2 نانومتر) مع أنشطة مضادة للورميحتوي Merestinib dihydrochloride أيضًا على نشاط قوي ضد MST1R (IC50 = 11 نانومتر) ، FLT3 (IC50 = 7 نانومتر) ، AXL (IC50 = 2 نانومتر) ، MERTK (IC50 = 10 نانومتر) ، TEK (IC50 = 63 نانومتر) ، ROS1 ، DDR1 / 2 (IC50 = 0.1 / 7 نانومتر) و MKNK1 / 2 (IC50 = 7 نانومتر) Merestinib dihydrochloride Chemical Structure
  15. GC19332 Sitravatinib

    MGCD-516

     Sitravatinib (MGCD516) هو مثبط لمستقبلات التيروزين كيناز (RTK) المتاح بيولوجيًا عن طريق الفم مع IC50s من 1.5 نانومتر ، 2 نانومتر ، 2 نانومتر ، 5 نانومتر ، 6 نانومتر ، 6 نانومتر ، 8 نانومتر ، 0.5 نانومتر ، 29 نانومتر ، 5 نانومتر ، و 9 nM لـ Axl و MER و VEGFR3 و VEGFR2 و VEGFR1 و KIT و FLT3 و DDR2 و DDR1 و TRKA و TRKB على التوالي Sitravatinib Chemical Structure
  16. GC39301 VU6015929 VU6015929 هو مثبط قوي ، انتقائي وفعال لمجال القرص الثنائي 1/2 (DDR1 / 2) مع IC50s من 4.67 نانومتر و 7.39 نانومتر ، على التوالي VU6015929 Chemical Structure
  17. GC38206 WRG-28 WRG-28 هو مثبط خيفي DDR2 انتقائي يعمل خارج الخلية ، مع IC50 من 230 نانومتر WRG-28 Chemical Structure

16 عنصر (عناصر)

لكل صفحة

تحديد الاتجاه التنازلي